在实际应用当中，关于退耦电容的使用，我们通常遵循一些经典原则，甚至很多参考设计也是遵循这样的原则：例如，0.1uF+10uF，退耦电容即可能接近引脚放置，使用尽可能短的接地线。
然而，随着实际应用复杂度的提升，这些经典原则往往并不适用。我们常常碰到这样的问题：当我们发现IC电源噪声过大、模拟IC对电磁辐射敏感等系统级问题时候，我们应该如何使用退耦电容，100pF？0.1uF？10uF？
我们知道，实际电容器由 ESR ESL EPR 和 C 组成。由于有C、L，那么则会有一个谐振点。在谐振点后，电容随着频率增大，逐渐表现为电感特性:。当电容表现为电感特性的时候，在电路中即失去了旁路高频噪声的作用。因此，合理的设计应该针对系统噪声的频率成分来选择旁路电容。
很多电容器厂商都会提供MLCC的阻抗-频率曲线，但这并不是MLCC安装到电路板上后最终的谐振点。使用TINA-TI，我们可以非常容易获得MLCC安装到电路板上后的插入损耗特性：
