LM211比较器的速度比规格书慢了10倍，求助！

示波器中的OC门电平是5V，事实上，3.3V和5V我都测了，没什么大的区别。

我怀疑是平衡引脚直接短路（规格书中指定），带来的输入级偏置电流问题，还没求证

10V的阈值也不至于引起输入偏置饱和恢复，离供电还有5V呢，比较郁闷了

亲；这个原因很简单，PCB没有最优；R407偏大及后面有些负载造成的。换成393，照样如此。

亲；211和393都是OC输出，说白了，就是输出是集电极开路的三极管。下降沿是该三极管导通过程，由于阻抗比较低；外部杂散电容被它主动短路。因此；下降沿很快。

亲；但是。。。上升沿是R407向杂散电容充电的过程。是不受IC控制的被动升起。响应时间常数为RC积。R即R407；C是分布电容。

在PCB已经确定条件下；建议将R407换成100～330欧姆试试。它会比现在快的多。

如果是PCB电容，等同于OC门接个电容，很明显，充电会是RC曲线而不是一个很大的延迟曲线

看波形，RC时间也就100ns的样子。事实上，1k欧姆和100pF的RC也就100ns，但什么样子的PCB分布电容100pF呢？

所以应该还是LM211内部某种饱和问题造成，但肯定不是输出的OC上拉问题

我甚是怀疑输入10V是否引起了输入级饱和，但是看内部图，输入偏置源不像在10V能饱和的。

所以看看TI内部工程师如何说？

亲；图非常清楚的表明，IC是差分输入；不会饱和的。至于你估算的100PF，我确实无法确认它的真伪。示波器探头的输入电容；通常是10~22pF级别。如果是1：1探头，这个电容会增加若干数量级（电缆电容）。因此；延迟和测量方法有关，测得数据和实际也不一定一致。

亲；鉴于你现在的问题，建议改电阻试试。

示波器探头确实是不小的负载，但10:1一般也就是15~22pF的输入电容，1:1的低频探头我很少使用，除非是小信号

我习惯是用20:1的超低负载探头，前端电容7pF，基本对于任何电路都影响极小了，毕竟手在电路板上挥一挥都零点几pF了

至于饱和问题，不是说因为差模饱和，而是怕共模饱和，当然这也仅仅是猜测，毕竟±15V供电，输入范围是-14.5~+13，离开危险范围这么远，应该没任何问题。

现在只能割线了，去掉后端的数字电路负载，死马当活马医。虽然看曲线完全不像是负载电容引起的，而是晶体管拖尾电流的样子，但只能试试了

亲，没那么严重，该上拉电阻即可。能不割线就不要动板。

做了第二版了

已经确认是芯片内部问题

这个和共模电压有关，输入比较的电压越高，则上升沿大幅度变慢，下降沿变快，否则反之……

当然一切都在规格书之内，但速度变化太多，这点让人很惊讶

谢谢分享你的结果。这可能与IC内的前级共模信号导致末级驱动力变化有关。

您好，您的输入电压变化率是多少？ 输入电压变化导致输出变化的时间是多少？ 输入变化比较慢，输出也会比较慢。

输入当然是非常高速的变化率，这点不用担心。

现在我的比较器电源是±13.5V供电，OC型使用，也就是下拉到地电位0V

同样的比较器，会发现“比较电压”在-8V时和+8V位置时。速度完全不一样，你看下图是+8V，黄线输入，10V以上；绿线输出，已经发生了可怕的振荡

当然我不会愚蠢到没加滞回，大约3mV的滞回空间，按理说可以消灭这种震荡的，再看一下同样这个放大器的-8V表现

都是上升阶跃恢复特性，速度差了不止10倍哦！

我多方面打听了这个问题，有人表示LM211是一个禁用器件，因为表现非常不稳定，没有可信的指标，批次性差的也很远

后续我会测量每一个共模电位下的恢复时间，以此画一张表格。可能会比较复杂，因为不知道这个共模是相对于浮动三极管说的还是供电电源说的

另外，电路也最简化了，避免一切问题。这再出问题，不就是芯片内部问题啦？另外5脚和6脚短路至8脚，确实可以大幅度提升速率（+8V时）。这些规格书可都是没说~

TI现在也是越来越不像话了，规格书越来越简单，跟以前的比，计算方法、常用电路等是越来越少了。

对比ADI的纯中文+小白式入门写法，或者Linera的超级作死创意奇葩玩法，TI的文献是越来越不给力了。

。

您好，

1.如果你对边沿速率要求很严格，我们可以为你选择更合适的器件。

2.LM211，311是非常老的器件，生产的厂家也很多，请问你的芯片的供应商是谁？

3. 测试条件对于指标影响很大，比如线路阻抗等，如果是我们的器件，放到我们的测试条件下，芯片手册上的指标都是可以满足的。

谢谢

对于可以±13.5V工作的器件，只有LM211和LM319了。但LM319速度虽快，却不能接受±5V以上的差分电压，做箍位是件很麻烦的事情

LM211当然是TI原厂的了，正规渠道购买，保证没问题~阻抗是500欧姆，按理说也不会有什么明显的影响。

测试条件中，只有标准的接地接法，没有关于共模电压与速度的测试。事实上，如果是200ns变300ns，那么不说是情有可原的，毕竟这属于最好与典型的区别

但如果差几十倍，那就必须要有测试了，因为共模电压范围，影响的十分巨大，不能忽略

另外，注意到LM6511的内部电路和LM211几乎一样……

不知道是否可以替换成LM6511来试试~

LM2903一类，还是很多高压比较器的。

这等LM393类的比较器，只会比211更差

您好，

请问你的项目的问题最集中的是否是高共模电压时候的上升速率？

请问速率为多少可以满足你的要求？TLV1701可以输入电源轨，所以高共模电压时候的特性会好些。

至于你说的LM6511，你可以申请样片尝试下，因为高共模电压下的特性也是没有描述的。

谢谢

13.5V供电，在8V共模下就要5us，这并不是需求问题了，毕竟这5us比LM393类的规格书标称都大了很多，比较器基本没有更慢的了

我过几天有时间了会做个测试，标注所有共模电压下的时间，到时发出来，可以共享

谢谢你的分享

不过芯片设计出来都是有一定的应用场合的，如果在共模比较高的情况下，上升时间比较长，那也有可能是这一类架构的比较器共有的特点。

楼主可以从芯片设计的角度来分析这个问题，没准能改进下这种结构。 如果是从应用的角度来分析，那么是从需求的角度出发的，寻找合适的器件。

谢谢