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求CEDV算法的应用设定

Other Parts Discussed in Thread: BQ78350-R1, BQ3060

刚接触CEDV算法的板子(BQ3060,BQ78350-R1),了解了学习的过程,但不了解在学习前,学习后用EV2300/2400应如何设置, 求TI的大侠们协助:

1.  电池串联数更改。 要改哪些参数

2. 容量更改  要改哪些参数

3.学习后等到若干个文件,应如何应用,要改哪些参数

4.如何判断学习过程是否正确。

谢谢

  • 没人帮忙呀,看样子TI没救了

  • TI没救了?你这么说,别人都不想搭理了。

    因为你问的问题,别人无从下手。我也只能简单跟你讲一下:

    1.明确的电芯的各项参数,配置好data flash里面的保护参数,例如,过压保护,欠压保护,过流保护,短路保护,高低温保护,这些保护都分有一级保护,二级保护

    2.配置好setting选项,这个主要选择开启那些功能

    3.配置好容量,能量值,高级充电等

    4. 用分容柜做出EDV参数,填入data flash

    5.充放电老化,max error更新到3%以下,说明学习成功

    其实你看一下IC的应用手册,好好看,就会知道如何填写data flash,还有联系的你们代理的FAE要一些基础教程,这些都是要靠个人学习的,不能一句TI没救了,就完事,毕竟产品是自己做的

  • 谢您了。

    帖子我放了3天没有人理才郁闷。

    我是应用板子的不是设计,板商只是告诉我很复杂需要他们来做参数设定,客户做老化,但现在成功率很低 (max error和FCC总是不对),效率也低,客户不满意,工程的角度我确实想cut掉这类产品,但眼前的客户要打发。 只好求助:我们的问题是我们买了板子之后配置电池,厂家把板子做了基本设定,我们只是改容量,但具体怎么做就模糊了,只知道要做3个温度学习,我有一点设定电阻追踪型板子的设定经验,所以保护部分设定没有问题,但CEDV其他还要设定什么就不清楚了。

    比如学习前是否只 设定保护, design capacity, Qmax设定? 学习后是否指改EDV0,EDV1,EDV2 三个参数?那一步完成后要复位? 我确实没有找到相关的说明,