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请帮忙解答一下，多谢！
不明白问题， 芯片本身并不会流过大电流， 就是自身功耗而已。
那换个角度，这个芯片组支持电池块总电流能有多大，比如超过200安培。
可以的， 只要主回路的MOS能够承受这么大电流，
设计的时候注意MOS驱动如果芯片本省能力不够大， 需要外置FET driver,
SRP SRN 的shunt电阻需要选择小的值，保证压差不超过芯片规定的范围 即可。其他可能就是注意以下大电流突变产生的尖峰，板子上会需要加一些TVS防止过压。
如上图所示，这系列的芯片是否只能支持最大放电电流为15A？
那在超过200A的场景下应该如何设计支持。
只是例子啊，
超过200A 1， 是选择这个大的MOS , 2, 估算MOS的驱动能力， 选择外置的MOS驱动芯片。 3. 选择采样电阻，考虑SRP SRN不超过芯片引脚范围。
