专家你好,
1:原理图如上,实测样机1:EN引脚在Vin输入电压为19V时芯片启动,在Vin电压下降到16V时芯片关闭输出电压为0,
实测样机2:EN引脚在Vin输入电压为19.2V时芯片启动,在Vin电压下降到18V时芯片关闭输出电压为0,
实测样机3:EN引脚在Vin输入电压为18.2V时芯片启动,在Vin电压下降到16V时芯片关闭输出电压为0,
按照Datasheet给出的如下公式计算
Rising threshold can be calculated as follows:
VEN(rising) = 1.274 ( 1 + (RENT|| 2 meg)/ RENB)
Whereas the falling threshold level can be calculated using:
VEN(falling) = VEN(rising) – 13 µA ( RENT|| 2 meg || RENTB + RENH )
EN hysteresis source current的值应该在70uA,26uA,52uA左右,但是Datasheet给出的TYP值是13uA,实测值的误差是否偏大?还是设计有问题?或者是内部这个恒流源已经损坏或者精度误差太大?
2:Cff推荐值是4.7nf,请问这个值是怎么得来的?如果改变这个电容的值会有什么影响,这个电容值最大和最小应该在什么范围以内?谢谢!