bq25700芯片发烫正常吗？

Hi

    你可以借助TI的webench仿真，确认芯片的问题。（这个软件很强大，输入参数即可得到电路，以及电路的参数，包括芯片的温度之类）

    芯片主要的功耗在于驱动部分（包括内部给驱动供电的LDO），所以你需要选择Qg尽量小的MOS。

    其次就是芯片底部的PowerPad，必须充分与GND焊接，并扩展散热。这个相当于芯片的散热片，处理不好容易造成芯片散热不好。

Hi，请问底部焊盘如要如何设计？能否提供参考PCB

Hi,正常情况下，25700表面温度多少为正常？

我没有在这个软件里面找到25700

Hi

   就在对应芯片网站上，我随便仿真了一下，40°C左右。

   layout一般会参考datasheet或者EVM.

evm的layout能提供参考下吗？还是要买evm才能得到？

还请教个问题，25700在充电的同时给其他电路在供电，这种怎么仿真

你的MOSFET的Qg是否过大。芯片的损耗除了静态电流，主要贡献来源于Vin*Qg*f*4

MOSFET用的贵司的CSD17551Q3A和CSD25402Q3A

CSD17551Q3A的Qg=6.0nC

CSD25402Q3A的Qg=7.5nC

Vin*Qg*f*4里面的f是指开关频率吗？

我用Webench大致仿真了下，总的功率损耗达到2.66w，如果真的这么大损坏，是不是温度本来就不会低

我用Webench大致仿真了下，总的功率损耗达到2.66w，如果真的这么大损坏，是不是温度本来就不会低

Hi

    这个是整个板子的功耗，包括芯片，MOS ，电感。

    你要看芯片的温度。  如上你最该关注的是你MOS的选择。

25700本身的损耗应该是主要和25700的静态电流有关系吧，这个静态电流一般多大？按道理说，外围充电电路电流和25700本身的工作电流应该没有什么必然联系才对吧

给MOSFET开关的驱动损耗反应在芯片里。假设4个相同的MOS, VIN*Qg*fsw*4正是计算驱动损耗的。