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TPS76933DBVT损坏求分析

TI的专家

     你们好,正常工作是TPS76933DBVT给MCU供电,在稍程序的时候,TPS76933DBVT不供电,由烧写器通过一个二极管给MCU供电烧写,这样TPS76933DBVT的输出就是3.3-二极管压降=3V,输入就是3V-内部mos管的体二极管压降。 我测出这个反向电流为800ua,这个电流会导致芯片损坏吗?

     图片是我的电源系统,还请帮忙分析下。

  • Hi

        没有问题。 

        如果你担心,你可以在LDO输入输出之间并联一个反向二极管加以保护。

  • HI

        现在我们损坏率有10%,还请帮忙分析损坏的可能性,谢谢

  • Hi

        确认是只有800uA?

        如果确实是只有倒灌电流这个问题(只有输出有电压,输入一直就没有电压),意味着确认可能是倒灌电流导致LDO输入输出击穿。

        此时可以在输入输出之间并联一个二极管保护LDO,参照如下:

       

  • HI

         过程是这样的额,在没有输入的情况下,先用烧写器给CPU烧写程序,烧写之后,装机测试,确定是800uA,这个小电流不足以损坏P-MOS的体二极管吧,还请指点。谢谢

  • Hi  

         3.3V通过二极管给电容放电,电流肯定不会是恒定的800uA, 其峰值电流应该是很大的,建议你增加二极管保护。

         如果LDO,表现在输入输出短路了,或者是在输入给电压,输出电压异常了,都表示LDO损坏。 如果仅仅是LDO在输入没给电压,而输出有电压导致输入电压为输出减去二极管压降是没有问题的。
     

        其实你还可以将这个二极管放到输入,直接阻止电流反向。因为你用的是LDO,  不影响电路的效率,因为只是把LDO的部分功耗放到了二极管上。

        如你所说,在这个测试过程中,并没有使用到这个LDO,仅仅只是在其输入给了电压,反灌看起来是可能性是最大的。 

  • HI

       刚测得在插上烧写器的时候,测出LDO输出端的电压有个小的尖峰,幅值在3.8V。波形如下,

    我现在觉得还有两个可能性。1是仿真器烧写没有把芯片打坏,装机是第一次上电烧坏。2 因为烧写口的接插件是洛铁手工焊的,洛铁接地不好带电。