TI的专家
你们好,正常工作是TPS76933DBVT给MCU供电,在稍程序的时候,TPS76933DBVT不供电,由烧写器通过一个二极管给MCU供电烧写,这样TPS76933DBVT的输出就是3.3-二极管压降=3V,输入就是3V-内部mos管的体二极管压降。 我测出这个反向电流为800ua,这个电流会导致芯片损坏吗?
图片是我的电源系统,还请帮忙分析下。
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TI的专家
你们好,正常工作是TPS76933DBVT给MCU供电,在稍程序的时候,TPS76933DBVT不供电,由烧写器通过一个二极管给MCU供电烧写,这样TPS76933DBVT的输出就是3.3-二极管压降=3V,输入就是3V-内部mos管的体二极管压降。 我测出这个反向电流为800ua,这个电流会导致芯片损坏吗?
图片是我的电源系统,还请帮忙分析下。
Hi
没有问题。
如果你担心,你可以在LDO输入输出之间并联一个反向二极管加以保护。
HI
过程是这样的额,在没有输入的情况下,先用烧写器给CPU烧写程序,烧写之后,装机测试,确定是800uA,这个小电流不足以损坏P-MOS的体二极管吧,还请指点。谢谢
Hi
3.3V通过二极管给电容放电,电流肯定不会是恒定的800uA, 其峰值电流应该是很大的,建议你增加二极管保护。
如果LDO,表现在输入输出短路了,或者是在输入给电压,输出电压异常了,都表示LDO损坏。 如果仅仅是LDO在输入没给电压,而输出有电压导致输入电压为输出减去二极管压降是没有问题的。
其实你还可以将这个二极管放到输入,直接阻止电流反向。因为你用的是LDO, 不影响电路的效率,因为只是把LDO的部分功耗放到了二极管上。
如你所说,在这个测试过程中,并没有使用到这个LDO,仅仅只是在其输入给了电压,反灌看起来是可能性是最大的。