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Bq24650太阳能充电芯片电路中二极管的作用

Other Parts Discussed in Thread: BQ24650, SM74611

如题,在datasheet中给出了两个二极管D1,D2。其中D1为普通二极管,D2为肖特基二极管。因为设计的产品对功耗特别敏感,普通二极管压降很大,所以有两个问题: 1:D1的作用是什么?如果D1仅仅是防反接的话可以直接去掉。但从datasheet第25页中高频电流通路的电路图中貌似要用这个管子?没有看明白      2:D2是否可以用Ti的si7288超低正向压降(27mV)的旁路二极管代替?

  • D1是用来防止倒灌电流的,也可以起到防止接反的作用。但是否取消能取消这个二极管取决于BQ24650充电器是否作为一个热插拔的器件,如果BQ24650的输入器是会进行进行插拔动作的,建议你加上这个二极管,这样可以防止做“拔除”动作时产生的尖峰电压,即trace的寄生感抗中蕴含的能量能够顺利的通过VCC 的RC滤波器旁路掉,而不至于打到前段的太阳能板或适配器。

    如果你的BQ24650的输入源不会经常进行插拔动作,且适配器有外部机构件的防呆设计杜绝插反,那么你可以不用这个二极管。

  • datasheet page25中的二极管是开关mosfet的体二极管(body diode),并不是指D1.

  • 这么一说就很明白了,十分感谢您的解答!

  • 不客气,关于D2的相关问题,说明如下供参考

    因为是N-mosfet型的开关,所以需要自举电路来给上管的driver供电,D2的作用是给自举电容充电。

    有一些器件将这个二极管集成在芯片内部,但对于高频和大容性负载的应用情况下,这个自举二极管的平均功耗将相对比较大,比如BQ24650 ,如果将这个二极管集成在内部会使得芯片发烫,所以使用外部的分立元器件。si7288的体二极管是封装在mosfet内部的,且它还需要在上下管皆关闭的时候提供续流通道,所以无法用si7288的体二极管替代自举二极管D2。

  • 不好意思,我发现我问问题的时候描述有个错误,误把芯片SM74611 智能旁路二极管写成了si7288.  SM74611有很低的正向导通压降(27mv),用SM74611来代替普通肖特基二极管从理论上说功耗会降低很多,不知道可否这样代替?

  • 从功耗的角度来考虑,如果能够使用更低导通压降的器件能够提高效率,但在这个实际的电路中没有必要做这样的替代,整个自举电路的损耗放在整体的电路中是比较小的,自举电容才100nf,所以需要的电流比较小,充电的时间非常短,甚至在S74611还没将电流通路切换到旁路mosfet的时候,自举电容的充电就已经结束了。我们希望这个电容能够在最短的时间内充满电即可。而S74611是在有大电流流过时,其低导通压降带来的好处才会比较明显。且从价格上来说并不划算。

    如果是大电流的二极管应用场合,S74611的价值就能充分的体现出来。

  • 感谢!您的回答给我很大的启发!看来我对这个电路的认识还是太浅薄了,继续学习吧

  • 你好,我照着evm画的太阳能充电板,开启芯片使能角,充电指示灯亮了,但是没有输出电压,电感和most没有脉冲输出是怎么回事

  • datasheet page25中的二极管是开关mosfet的体二极管(body diode),并不是指D1.