BOOST-DRV8711中CSD88537ND的Qg和RT

BOOST-DRV8711中CSD88537ND的Qg和RT

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  • 秀才208分

    上次在论坛问了个IDRIVEP/N的问题:(http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/f/60/t/143678.aspx)

    DRV8711数据表所说:必须要配置IDRIVEP/N满足要求吗?IDRIVE > Q / RT)RT为52ns,Qg为42nC,则IDRIVEP要取1A?然而寄存器给的为50mA-200mA,工作人员的答复不是我想知道的。

    最近按公式去选型,发现大部分Q g/ RT都是1A左右,就去看了下 BOOST-DRV8711CSD88537ND是怎么样的,结果Qg为14nC,Tr为15ns,也为1A左右,有些纳闷,TI的板子都不符合这是什么情况?工作人员让我看Qg和RT选型的

  • 进士3880分

    Tr不是一个给定参数,而是你的系统设计时需要的目标参数,由Switching loss和EMI综合考虑设定。MOSFET规格书上的Tr为不限定Source current (Rg=0)的时候,最快的Tr。

    DRV8711 Source current最大为200mA,配合CSD88537ND,Qgate total=14nC,可以达到的最大Trise约为14nC/200mA=70ns。

  • 秀才208分

       这个意思是根据Idrive求Trise?然后再求Tdriver?

    另外为什么看到在IDRIVE那篇文档1.5.1.1节看到用的是栅漏电荷Qds,而不是Qgate total???

  • 秀才208分

    请问TI的电机中提到一个步进周期大约为  1/f=2×DTIME + TBLANK + TOFF。

    按这个公式来计算TOFF?

    那是不是意思是TOFF要设置为 比1/f-(2×DTIME + TBLANK)略小一点(因为驱动时间会长于TBLANK,所以略小)?

    那么2×DTIME + TBLANK + TOFF在DRV8711里最多也就设置成不到150us,我如果电机步进周期为200us,那么TOFF怎么办取什么值?TOFF走完后剩余的时间做什么?数据表根本没提到。

  • 进士3880分

    Figure4 已经表明用QGD和QGTotal所代表的rise时间段的区别。

  • 进士3880分

    你完全搞混了电机步进信号step周期,和current decay的Toff周期,是独立的关系。DRV8711规格书里Figure 10已经很清楚告诉你Tblank Toff的意义。步进电机控制基本原理可以去找本专门的书。

  • 秀才208分

    谢谢,有些懂了,步进频率是外部输入的脉冲频率,内部衰减是由寄存器的这些值来设定的。还想请教下电机衰减模式的主要目的是什么:保持相对恒定电流?还是将电感储能释放一部分能量方便下一步的操作?

  • 进士3880分

    定电流。

    不同模式的差别在步进电机IC规格书里面都有写。

    设定好坏的差异可以在下面的文档里面更直观看到:

    http://www.ti.com/lit/an/slva637/slva637.pdf