为了增大输出驱动能力是否可以把4路输出并成一路,滤波电感选一个大电感,滤波电容选一个大电容。
这个8412的开发板PCB 布局,逻辑12V地和驱动PVDD的地之间需不需要隔离处理。逻辑地为数字地,驱动PVDD的地为大电流
DRV8412 有并联模式,两个H桥重叠并联,但不支持4个半桥并联。
EVM的设计采用了统一地,但逻辑和功率电流的回流路径是分开的,这样的布局布线比分割地更好。因为地分割如果没分好带来的问题更大,也不利于保持大面积的地平面作为散热平面。
1. 没错
2. 是在EVM板上测试的吗,EVM板上是可以跑到并联6A的,不过壳温会到100C以上。
3. 统一地布线中,回流路径低频走最小阻抗通道,高频走最小感抗通道,一般是沿紧贴电流流入的路径的地平面回来,看是看不到的。关键是器件布局中要保证逻辑部分和功率部分彻底分开。这样电流的回流就不会串到一起。关于统一地的使用网上有很多的参考资料可以找到。EVM中功率部分全在右侧,逻辑部分全在左侧。
Zhetao,
2. 那过温多半是由于芯片底部焊盘焊接不良或没有焊接造成的。如果芯片底部焊盘焊接好到足够大散热地平面上,一般的风枪都很难吹上或吹下来。手工焊接时一定要先在芯片底部焊盘上镗锡再吹焊,有一定难度。如果芯片的热焊盘焊接不良,散热效率至少低50%以上。PCB上请参看EVM在顶部和底部增加足够的辐射方向的完整铜箔,并用足够的过孔连接顶层和底层散热地平面。
3. 没错。
请注意芯片并联时,只可以AB并联,CD并联。同时选择相应的模式。主要是保证并联后各逻辑和保护电路正常工作。手册上有这样并联的范例。
这个电流大小是一片DRV8412在并联模式下应该完全可以做到的,还是散热的问题,推荐找一块EVM先做实验,再自己根据情况画板。
另外DRV8412需要完全工作在PWM模式下,不支持100%占空比驱动。CBC限流也需用同时在两个半桥的输入端加上PWM信号来恢复。请搜索之前关于DRV8412或者DRV8432的帖子。如
http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/f/60/t/44992.aspx
8412布局
8412EVM布局图
EVM8412采用了统一地保证了参考地的完整性,在布局方面为了减小干扰,功率回路在右侧,逻辑回路在左侧,确保了逻辑回路和功率回路的分开。这样的布局比分割地的好处有:
1. 统一地保证了参考面的完整性
2. 地如果没有分割好,可能会带来很大的干扰(信号在分割处会有反射)
3. 大面积统一地和DRV8412底部焊盘焊在一起后增大了散热面积,有利于8412的散热
通过布局可以将电流回路分开是因为,电流回路走最小阻抗的原理,这样我们就可以通过布局控制电流回路。统一地布线中,回流路径低频走最小阻抗通道,高频走最小感抗通道,一般是沿紧贴电流流入的路径的地平面回来,看是看不到的。关键是器件布局中要保证逻辑部分和功率部分彻底分开。这样电流的回流就不会串到一起。
8412过热问题
之前自己做的板子,跑3A电流可以,一到5A就会过热。分析其原因:
1.手工焊接8412底部焊盘和PCB板上的焊盘没有完全焊接好
2.8412底部焊盘没有和大面积统一地连接在一起,影响了散热
如果芯片底部焊盘焊接好到足够大散热地平面上,一般的风枪都很难吹上或吹下来。手工焊接时一定要先在芯片底部焊盘上镗锡再吹焊,有一定难度。如果芯片的热焊盘焊接不良,散热效率至少低50%以上。PCB上请参看EVM在顶部和底部增加足够的辐射方向的完整铜箔,并用足够的过孔连接顶层和底层散热地平面。
8412工作模式问题
除了手册给的几种模式。尝试过
1.配置成4半桥工作模式。每个半桥经过电感,并联电容后两半桥并联,之后右端接负载,负载直接接地。并行半桥没有经过另一半半桥形成回流,这种模式能使用,但是没考虑效率和对芯片影响的问题。
2.配置成4半桥工作模式。每个半桥经过电感,并联电容后4半桥并联,测试过能使用。咨询TI工程师后,不建议4半桥并联使用。
3.现在想尝试。既然不建议4半桥并联,计划OUT_A和OUT_B并联之后串联电感,并联电容,之后接负载,再接地。