TI工程师你们好,现在公司需要用到一些电池充电及升压相关的IC,对贵司的几款IC有点疑问,想请教一下;
1,BQ25895,BQ24195,BQ24295这几个芯片在VBUS有外接电源输入的情况下,OTG拉高或拉低PMID分别是怎样的输出情况。
2,看这个几芯片的内部框架图的时候看到VBUS到PMID脚是一个反接的MOS,如图示的话,VBUS电压应该通过Q1的体二级管直接到PMID脚了,这是否意味着有VBUS输入的情况下,PMID是否就是跟随VBUS电压。
3,外部ILIM脚的充电电流设定电阻跟内部寄存器配置的是两个中取小的那个值吗?还有另外几个电压相关的设置也不是很明白。
4,在BQ25895的5V 3.1A升压输出例程电路上,SW到PMID脚接了一个(NSR10F20NXT5G)肖特基二极管,是扩流作用的吗。前面5V 2.4A的例程电路则没有这个二极管,接跟不接有什么影响
5,BQ25895规格书上PMID升压输出电流为2.4A和3.1A时电容分别为40UF跟60UF,这个值是最小取值还是固定的典型值。
初次使用这几个芯片,问题有点多,还望不吝赐教,谢谢