我用 TPS40210 将12V 升到 28V,参考了TI 的设计，只调整了部分参数，R11 为15 毫欧，输出电容为220uF，带载 16R，MOS管发热严重，几分钟就会引起保护了（MOS温度达到80度），后面将PWM 频改到120K,同样条件MOS温度为70，MOS管没有散热器，是不是只能做到这样，还有什么可以改进的吗？望各位大牛不吝赐教！
原理图：
GDRV波形：
GDRV波形展开：
Vds波形：
Vds波形-上升沿：
Vds波形-下降沿：
我用 TPS40210 将12V 升到 28V,参考了TI 的设计，只调整了部分参数，R11 为15 毫欧，输出电容为220uF，带载 16R，MOS管发热严重，几分钟就会引起保护了（MOS温度达到80度），后面将PWM 频改到120K,同样条件MOS温度为70，MOS管没有散热器，是不是只能做到这样，还有什么可以改进的吗？望各位大牛不吝赐教！
原理图：
GDRV波形：
GDRV波形展开：
Vds波形：
Vds波形-上升沿：
Vds波形-下降沿：
