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测试中发现BUCK电路下管MOSEFET在死区时间后内二极管关断时产生的很高的过电压，且随电流而增加。有没有比较好的解决方案
这个没有太好的办法，只能是要么优化PCB的设计，让回路面积最小，减小回路漏感，要么加吸收，钳位震荡。
双向buck电路拓扑贴出来看看
、
第一张为电路拓扑，第二张为管压波形，其中绿色为下管波形，电流从左到右
加了RCD吸收电路，感觉吸收效果不行较差。三楼的波形，就是加了RCD的波形。
你好，
就是普通buck，注意下左电容和两个管子回路尽量短就可以了，谢谢。
这个有没有其他解决办法，电路板已经做好了。RCD吸收电路貌似作用不大。谢谢！
那只能是你加的吸收的电路参数不合理，你加的RCD吸收电路是怎么加的，参数分别是多少？
电容0.1uf,电阻100欧。
但是上管的过电压基本都吸收了。
下管的过电压是回路电感与开关管结电容谐振引起的，不太好吸收
1、电容太大了，估计电阻会发热吧？
2、一样可以，你将103的电容与10欧姆电阻直接并联在下管的DS上试试，估计就吸收了。
RC就好了，不需要RCD
仿了一下，RC和RCD的过压差不多
低压也许差别不大，但高压的时候，差别要大一些。相同的吸收电阻的损耗会有区别。
仿真和实际有差别，处理不好，用RCD反而没什么效果，RC回路尽量靠近MOS
