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CSD18543Q3A及相关mos管的应用

Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A, CSD18531Q5A, TPS40170

Hi:

   我们使用TPS40170输出5.5V,6A的电流,mos管选用了CSD18543Q3A和CSD18531Q5A,但是在实际测试中,发现mos管的温度过高。达到了90°左右,希望通过并联mos管的方式降低mos管的电流,进而降低mos管的温度,此方案是否可行?有没有需要注意的地方?

  • 有时候,MOS管发热并不一定是有RDS,也有可能是开关损耗造成的。如果是这样的话,冰凉MOS管不见得会降低损耗,反而有可能会增加。

  • HI

        你可以借助TI的webench仿真确认MOS的温度。(这个软件很强大,输入参数即可得到电路以及电路的参数,包括效率,温升(温度):

         

         不明确你的具体参数,但是我也仿真了一下,不应该会有90°C这么高。影响MOS温度高的因素很多,例如RDson, Qg, 频率,散热面积。

         RDson, Qg, 尽量低, 频率不宜太高,这类转换频率一般建议在300~500kHz,甚至可以适当降低到200kHz以上。

         散热面积对热阻影响很大,见下图: 

        

  • Hi

       才6A, 无需并联2个MOS 增加成本。 可围绕上述四点降低MOS温度(包括选Rdon,Qg,热阻尽量小的MOS)

  • 那么如何确认开关的损耗比较大。

  • RDson, Qg, 频率,散热面积,这四点:

    频率可以控制,我们目前使用的开关频率是

    ,我们的mos管D级的表层的铜箔面积是15mm*5.6mm,内层的铜箔也比较大,使用了比较多的国控。

    RDson,Qg需要如何调整到最佳的状态?

  • RDson, Qg, 频率,散热面积,这四点:

    频率可以控制,我们目前使用的开关频率是

    ,我们的mos管D级的表层的铜箔面积是15mm*5.6mm,内层的铜箔也比较大,使用了比较多的过孔。

    RDson,Qg需要如何调整到最佳的状态?

    我使用的是TI推荐的csd18543,期RDson仅为0.016O,已经很小了。

    然后电路板的面积比较小,不可能做到比较大的铺地。

    仿真的结果是77°,实测的结果是90°。

  • 你好,你们是否在MOS的栅极放置了一个小电阻,如果有,可以适当减小电阻值来降低开关损耗。

    也可以适当降低一点频率来降低损耗.

    Qg是由MOS本身决定,无法通过外部去减小