【培训讲师】陈桥梁 博士
2001年在西安交通大学获得电气工程学士学位，同年保送读研，并分别于2004年、2008年在西安交通大学获得电气工程学院电力电子硕士和博士学位。2009年在美国弗吉尼亚理工大学（Virginia Tech.）电力电子系统研究中心（CPES）进行访问学者研究。2007年至2008年，任台湾全汉（FSP）西安分公司总监，2009年至2011年，任博兰得（FSP-POWERLAND）电子科技西安分公司总监，2011年加入西安龙腾新能源科技发展有限公司，历任技术总监、副总经理。
陈桥梁博士在IEEE国际期刊和国际会议上发表论文15篇，拥有7项美国专利，35项中国专利。他是中国电源学会理事、专家委员会委员、新能源专业委员会理事、元器件专业委员会理事。获得2011年陕西省“青年科技新星”、入选2012年西安市“5211”人才计划，入选2014年陕西省“百人计划”特聘专家。
【培训重点】
本讲座首先介绍几种常用功率半导体器件的基本原理及特性差异；其次详细阐述MOSFET的开关瞬态过程，分析影响MOSFET开关速度、损耗和EMI的关键因素，并对MOSFET的关键参数进行详细解读；然后结合实际案例分析在不同典型电路和应用领域中MOSFET的选型原则、失效机理及EMI整改方法；最后重点介绍几种主流电路仿真软件在电源设计中的应用。以上讲座内容将通过理论分析结合实际应用案例进行详细阐述。
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【培训大纲】
1. 常用功率半导体器件的基本原理及特性对比分析
2. 功率MOSFET的开关过程分析及EMI整改策略对比
3. 功率MOSFET关键参数解读及选型原则
4. 功率MOSFET在电源中的应用案例分析
5. 基于几种典型电路仿真软件的电源设计
【培训回顾】
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