TPS40210 24V升到100V MOS管发热严重 请大家指点下

Hi

   建议你参照这个设计，增加MOS驱动器：

   http://www.ti.com.cn/cn/lit/df/slura50/slura50.pdf

  从波形看驱动信号不好，这个不仅仅是减小驱动电阻可以解决的。

您好

  这个问题从驱动的波形上看来 TPS40210的驱动能力不够的问题

首先TPS40210的驱动能力有400mA, 建议你将驱动电阻R4减小 变为1ohm试一下

如果还是不行 

因为 你选用的管子 Qg=161nF 建议选用一个较小的Qg管子 

同时我看到 您选择的 IRFP4668 最电流有130A， 不是很合适你这个电路 因为你需要600mA

希望能够解决您的问题

看波形应该是驱动能力不够导致MOS无法正常快速开启，造成导通损耗剧增，引起发热。

尝试将MOS栅极电阻移除或改为1ohm，看是驱动波形是否正常（类似PWM波）。但是栅极电阻改小之后可能会引起SW节点（电感和MOS接点）有很大的震荡电压，从而击穿MOS管，所以这里需要一个平衡，既保证MOS正常动作，且SW节点的震荡电压峰值在MOS管可接受范围内。

当然也可以参考上贴的意见加MOS驱动电路。

Hi

   我提供的电路和你的参数接近， 按照你的电路是需要增加MOS驱动器的，这个芯片驱动力不强。

   选择小Qg的MOS，还有一个目的，减小驱动功耗，是被建议的。

由于你要升压到100V，会在开关节点上有较大的震荡电压，容易击穿100V耐压的管子，建议换一个耐压高一点的，留有一定的裕量。