LM74610Q1电源正极防反接

LM74610Q1电源正极防反接

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  • 秀才70分
    关于LM74610Q的问题.docx

    1、如下图所示,为我产品的电源反接保护电路原理图,该电路是参考的LM74610Qdatasheet上的应用电路原理

     

    2、正常工作时用示波器测得mos管的D极和G极的波形如下图所示。(黄色代表mosD极波形,绿色带包G极波形)

     

    3请问怎么样能让D极电压没有跌落?是否可以在mos管的G极增加一个大的对地电容?或者把LM74610Q的充电泵电容电容值加大(目前使用的是推荐值2.2uF)?

  • 进士7483分

    你好,这个压降是由于MOS管的体二极管压降导致,其目的是为了给charge pump电容充电,为后续提高栅极电压(具体原理详见数据手册章节7.3)。如果你直接在D点测量,这个是很难消除的,建议你选一个体二极管压降比较小的MOS。或者在输出加大电容,使得输出电压上的下跌较为平缓。

  • 秀才70分

    你好!想跟你确认一下在mos管的G极加一个大一点的电容,mos就不会被关断。请问这种用法是否可取?有哪些潜在风险?谢谢!

  • 进士7483分

    如果MOS没有关断,但Vin<Vout,就会出现电流倒灌,可能会损坏前级电路

  • 秀才70分

    你这里的VIN是指mos的S极,Vout是mos的D极吗?是不是意味着电源反接的时候LM74610会被损坏。

  • 进士7483分

    VIN是指mos的S极,Vout是mos的D极。电源反接是什么意思?是指Vin接到D?这样接,芯片无法工作的

  • 秀才70分

    对,反接的时候电流是从D到S,我们要的就是电源反接的时候MOS处于关断状态。这个时候D极的电压高于S极,肯定不会烧坏LM74610吗?

    对于你刚才说的Vin<Vout会发生电流倒灌。如果按照推荐电路使用,mos处于导通状态的时候如果Vin<Vout的时候会发生电流倒灌吗?

    还有你刚才的前极电路是指的LM74610还是什么?

  • 进士7483分

    你好,D极高与S极是可以的,只要不超过外接MOS的最大击穿电压,同时也不要超过42V(见数据手册6.3节)。

    MOS导通,Vin<Vout的时候都会发生电流倒灌

    前级电路指的是Vin的源,如果你是用DCDC电路给LM74610供电,倒灌电路很可能损坏前级电路

  • 秀才70分

    我们的产品是由蓄电池进行供电的,做这个是因为有反向电压保护的要求(防止产品的电源和地接反对产品造成伤害)。根据你刚才的描述,我是不是可以理解为:我们在应用中在mos的G极(LM74610的gate Drive)加一个大的储能电容,在Gate Drive关断期间给mos的G极供电,以防止MOS关断 是可行的?

    另外,想问一下LM74610主要的应用案例是什么?有没有类似的汽车电控产品使用过?

  • 进士7483分

    MOS如果不关断,charge pump电容就没法充电,最终MOS的栅极电压还是会跌落的,加了电容无非是使得MOS持续导通时间变长,最终还是会关断。

    看你的电路,MOS关断,对你的12V也没影响啊,还是不懂你为啥不让MOS关断

    LM74610主要用于汽车上的反极性保护,http://www.ti.com/lit/ug/snvu489/snvu489.pdf

  • 秀才70分

    lm74610的GATE Drive的电压不降低  充电泵电容就不能充电吗?

    主要是考虑两个原因:1是产品的负载电流比较大,关断的时候是由体二极管通电,不知道这样会不会造成mos管的寿命变短;

    2、电源突然变动担心影响输出控制的精度,这个我们使用在变速箱控制器上的。

    所以如果这个不能实现mos不关断的话 能不能推荐一个其他的方案。

  • 进士7483分

    关断时,后级电路的电流应该是由输出电容提供的,二极管电流主要是用来给电容charge pump充电的,所以对MOS的影响很小。

    而且MOS的最大导通时间可以通过charge pump电容的取值来决定,最大可以实现98%。

    如果你的输出电流很大,可以加大输出电容来稳压,如果加大还不行,可以尝试在MOS的原漏极加一个大电流的肖特基二极管(压降要比体二极管小),让肖特基在MOS关断时承受一部分电流(这个没有实际验证过,需要去验证一下)

  • 秀才70分

    你好,麻烦最后确认一下,是不是必须关断mos管,LM74610才能完成充电泵电容充电?

  • 进士7483分

    Once the voltage on the capacitor reaches the higher voltage level of 6.3V (typical), the charge pump is disabled and the MOSFET turns ON.

    At the time when the capacitor voltage reaches its lower threshold VcapL 5.15V (typical), the MOSFET gate turns OFF.The drain current ID will then begin to flow through the body diode of the MOSFET, causing the MOSFET body diode voltage drop to appear across Anode and Cathode pins. The charge pump circuitry is re-activated and begins charging the charge pump capacitor.

    所以,是要关断MOS,电容才会充电。