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我使用55340芯片搭建32V升38V为什么芯片的NMOS总会被击穿啊，负载为50Ω，输入为两个47UF并联，输出电容为22uF，不是二极管和电感的原因，直接插电源的时候，多插几次就被击穿了。是不是电容不够大啊
你好，TPS55340内部 是一个5A，40V 低侧场效应晶体管 (MOSFET) 开关。建议你看一下SW节点波形（全带宽），看是否超过40V，因为你的输出电压有38V。
如果超过40V建议你重新对芯片进行合理布局（可以参考用户手册中EVM板的布局布线）或者在开关节点处加Snubber电路（串R=2ohm，C=2200pF到GND）。其中2ohm上的功耗为f*C*Vds^2
谢谢你的建议，我试过你提出的方法了，输出36V时，不加RC电路峰值为41.4V，加了以后输出36V，峰值电压为39.6V，我想问一下我可以把电容电阻值加大一点吗？我需要实现38V输出。峰值电压小于40V
RC值可以根据你的需求修改，当然最根本的解决方法是修改PCB版图
HI
"直接插电源的时候", 相当于是硬开关，这个时候输入会有很高的震荡电压，叠加在你本身32V的输入上，很容易过压烧掉芯片。
一般这种情况下需要用到热插拔。
这个电容和电阻的选取是怎么计算的啊？我选取6800PF，2.4ohm，结果峰值发表电压还没降低，能把计算公式说一下吗？
见附件
你好，我刚才试了RC电路，R=2Ω，C=9000pF,当我输出电压为38V时，SW的峰值电压为39V，输入电压为47uF，但是我输入电压为32V阶跃上电时，芯片仍被击穿，可能是什么原因啊？具体有哪些啊？我30V升36V时芯片可以阶跃上电不 被击穿，此时峰值电压为37V。这个芯片是不能达到38V吗还是什么其他原因啊?
你是带载上电么？带载上电时，由于电感会产生电压突变，就会有很大的ring，造成击穿，建议提高SS管脚电路，减缓启动速度。
可以输出38V，但是管子40V，裕量太小，容易损坏
是的，输出接了100Ω，那个软起动我是按照典型应用给的加在上面的，Css=47nF，我不知道这个芯片的计算方法，只按照电容的充电时间公式计算，得出为14ms，但是通过示波器捕捉阶跃上电时，输出波形显示实际只有4ms不到，是软启动的原因吗？
你用100nF的电容试一下，降低启动速度。具体原理可以参考数据手册的soft start章节
你好，这是我今天测试使用的电路原理图（附件），外部环路补偿是参考软件仿真的，电感的感值有点低没法改，为4.7uH，工作频率为1MHZ，
之前阶跃上电30V升36V时没问题，就是连续插拔上电峰值电压加入RC电路以后输出的峰值电压为37V。
不过在32V升38V时，其他都没变，在第二次阶跃上电的时候直接击穿了，是内置的NMOS直接击穿了。
因为芯片都没了，买的芯片暂时还没到，没法实验，
我想问此时，是因为电压突变产生的ring击穿的？还是可能是此时芯片的软起动失效了（之前的软起动电容因为芯片原因还没换），导致芯片被击穿了？还是其他原因？
你好，你的电感值变了的话，建议你手工计算一下环路参数。
建议尝试一下慢慢加电，看是否会损坏器件，因为38Vout对于芯片MOS的Vds来说几乎没什么裕量。
软启动电容你换一个大一点的看看，建议现在30Vin试一下，看看输出上升速度，先设置的慢一点（即电容大一点），然后再慢慢加电试一下输出到38V的
由于你是直接插拔，很容易造成ring，所以建议你前级加热插拔以保护电路。
因为你的输出是38V，电流3.8A，输出功率太大，芯片裕量太小很容易损坏芯片，如果可以建议你换一个芯片，用外置的MOS，这样就不会有击穿的问题了
之前试过输出从24V加到38V，芯片一点问题都没有，后来把开关的尖峰消除后还会出现击穿问题；
我主要就是想测试一下该芯片能不能达到38V，能不能在阶跃上电时不会被击穿，我的输出负载是100ohm，输出电流应该不大；
软起动应该没问题，我觉得应该是插拔时产生的ring过大了，毕竟我的输入电压达到32V，
还有一个问题就是之前我测试时24V升36V，负载为50Ω时也发生了击穿现象，是什么原因啊？其他条件不变，不过之前我没有加snubber电路，
不过加入RC吸收电路后，现在30升36V，负载为50ohm时，直接上电不会被击穿。
热插拔我还没试，我的同事是BUCK电路时，直接加大电压时也会击穿，后来在输入端接入一个100uF/220V的电解电容后直接上电没被击穿，
我的芯片击穿和这个有联系吗?
(芯片由于还没到，暂时没法实验， 麻烦你把你能想到的原因说一下，我一个个排除，我问了一些同事，他们也不了解，我自己是个新手，一步步找原因总会把芯片击穿)
输出从24V加到38V，芯片一点问题都没有，后来把开关的尖峰消除后还会出现击穿问题？什么意思？尖峰消除后， 输出从24V加到38V芯片就击穿了？我之前的建议是输入慢慢加，不是输出慢慢加，芯片最大到38V是可以的。
对于你同事的情况，应该是加大输入电容，使得在插拔时的输入电压突变变得平缓，避免了插拔时ring的产生。你也可以在前级加一个大电容，其效果可输入电压慢慢升高有点类似。你的问题应该主要还是ring电压太高，击穿下管。
等芯片到了，你需要做以下实验：
1、加大SS管脚电容，增加输入电容100uF以上。
2、输出设为38V，输入电压手动的慢慢增加，看是否会击穿芯片
3、再直接上电，但是建议设置你的Vin的上升速率，观察是否击穿
你好，我今天试了电路，输入电容加了0.1uF，4.7uF，10uF和47uF，然后我的输出电压为38V，输入电压为30V没有被击穿，多次插拔直接上电，芯片一直良好，负载为50Ω，软起动没有改，还是47nF。也没有加RC吸收电路，阶跃时ring，我捕捉到偶尔达到60V，大部分低于40V，ＳＷ节点的峰值电压大于４０Ｖ，但是芯片一直良好，我焊接了３块电路板，都良好（每个芯片都连续插拔多次），这是什么原因啊？
你好，通常MOS管的击穿是指高电平持续一段时间才会击穿，如果只是一瞬间的高电平，不一定会击穿的，是要算高电平的有效值的。加大输入电容，也会降低一些ring电压，还是建议你加上snubber电路，因为击穿是概率性事件，你的margin太小了，还是有击穿的风险。
