问题描述: 1、有的带不起载
2、驱动大小波形，空载时正常
3、mos发热厉害
4、带小载热后转空载，损耗电流会慢慢上升
问题帖子链接：http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/power_management/f/24/t/74059.aspx
解答问题的TI FAE: Frank 1
个人心得：关于同步升压，自己一心想做一个尝试尝试，等把最近手里的半桥项目结束了也做一个出来，正好在这里有个帖子，先前来看看学习学习，也算是一种不错的收获吧。以前同事正好在TI官方网站上也申请了两片LM5122，到时候借来用用，也在此看看作者所出现的问题，看看到时候自己会不会出现这些类似的问题
先来介绍一下这款芯片吧，也让后来人知晓一下：
LM5122 是一款支持多相位的同步升压控制器，此控制器用于高效同步升压应用。此控制方法基于峰值电流模式控制。电流模式控制可提供内部线路前馈、逐周期电流限制和简化的环路补偿。
可以将开关频率设定至高达1MHz。通过两个支持自适应死区时间控制的稳健耐用N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）栅极驱动器来实现更高效率。一个用户可选二极管仿真模式还可以实现断续模式运行，以提高轻负载时的效率。
一个内部电荷泵可针对高侧同步开关实现100%占空比（旁路运行）。一个180°相移时钟输出可实现简单多相位交叉配置。额外特性包括热开关、频率同步、断续模式电流限制和可调线路欠压闭锁。
我也用webench仿真一下，以后也可以稍微参考一下上面的硬件设计
关于作者所提问的四个问题，TI FAE解答也很不错，关于后两个问题我也有些疑问，不知道作者是怎么解答的，是因为电路的布线问题么，对于那个功率的级别也不是很大，同步整流会引起MOS很热么？不知道下面这么说是几个意思？
刚刚仔细的看了一下LM5122的数据手册，没有见到对于布线方面的实例，我想问一下TI工程师们，对于这款芯片是否有样板来参考一下？