在电路设计过程中，二极管的种类繁多，用法也不相同，而且它们有很多特性上的细微差别, 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的，与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下,那么今天我们就来探讨一下整流二极管的问题。
有网友提出这样的问题——电源的频率为100K. 想要选择整流二极管。问一个业余一点的问题： 我发现二极管的datasheet上面， 不同管子的测试条件不一样：有的是在IF=8.0A,diF/dt=1000A/µs，VR=400V的； 有的是在IF = 1 A; di/dt = 50 A/µs，VR= 30 V; ， 请问对于1个二级管来说：是不是在反向电压越大， di/dt越大的时候，反向恢复时间越快啊？ 如果在VR=30V的时候，反向恢复时间为50ns， 对于100Khz的电源， 整流二极管以及开关MOS管的缓冲， 是不是都够用了呢？问题链接：
http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/power_management/f/24/t/74267.aspx
这里要感谢TI FAE的Max Han 的解答。二极管的特性曲线：
所以可以总结以下几点：
1) di/dt越大；反向恢复电荷越多。但是时间主要和电流、温度等有关；和电流变化率关系不大。对于100kHz电源，一般；50nS的二极管已经很好了。
2) 只要测试电流接近额定，就可以这么用，不会有啥问题
3) 正向电流会影响反向恢复时间的测定，正向电流越大，对应的正向压降越大，结电容一定的情况下，Qrr越大，因此反向恢复时间越大。
4) di/dt越大，反向电流到达IRM的时间越短，反向恢复时间越小
5) 对于测试标准，不同厂家，测试标准不同，不是按VR来测试的。如600V二极管；多以400V来测试反向恢复特性。