先大概的说说这款芯片：LM5122 是一款支持多相位的同步升压控制器，此控制器用于高效同步升压应用。 此控制方法基于峰值电流模式控制。 电流模式控制可提供内部线路前馈、逐周期电流限制和简化的环路补偿。楼主saint yao 使用LM5122设计升压电路所遇到的问题也是方方面面的，涉及到了LM5122的各个部分的功能。其主要问题如下：1、有的带不起载2、驱动大小波形，空载时正常3、mos发热厉害4、带小载热后转空载，损耗电流会慢慢上升以上问题不知道是什么原因？请指教！帖子链接：
http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/power_management/f/24/t/74059.aspx
TI FAE：Frank 1 ，Kevin Chen1 ，以及热心网友XP 解答了楼主的疑问。并且指出了楼主所遇到的问题，涉及到了使用LM5122设计升压电压的诸多问题。有很多方面值得我们去学习。
想要解决楼主saint yao 的问题，我们就必须先了解这个LM5122这个芯片，正所谓要知其然。下面我们先看看LM5122的基本结构，以及TI的规格书所提供的LM5122的简化版应用图，如下所示：
上图中标出来了LM5122设计中需要注意的三个重要方面，我们先来看看楼主遇到的第一个问题：有的带不起载？这个问题正如Frank 1岁提到的，极大的可能性就是电感设计的问题。用LM5122设计的升压电路，必须使用功率电感。设计电感的时候，可以按照满载输入电流的20%选择纹波电流。同时还需要满足不能饱和的问题。电感的材质可以选择铁氧体和铁粉芯的磁环。使用铁氧体的话，注意磨气息。如果使用铁粉芯的磁环设计功率电感的话，需要注意直流偏置下，感量会下降，设计的时候需要留有一定的余量。当然这个电感可以直接购买正规的料，就省事很多了。
接下来看看楼主的第二个问题，驱动大小波形，空载时正常？这个主要的原因就是环路设计的问题了。可能是参数的匹配出现了问题。LM5122提供的环路配置如下图所示：
从上面的环路结构图可以看出来，这是一个很典型的二型环路补偿器。其计算方法和我们通用的环路补偿器基本一样。其典型的模型结构如下图所示：
如果大家有所需要的话，可以直接参考计算。当然如果有环路分析仪的话，可以讲参数计算修改以后，用环路分析仪直接测试整体电源的闭环环路曲线，直至调整环路达到稳定的状态，一般是满足相位裕度大于45度，增益小鱼-10DB就合格了。
在回到楼主所提到的第三个问题：mos发热厉害。这与选用的MOSFET特性有关。如栅电荷偏大或集成的二极管差都有可能如此。我们选择MOSFET的时候需要注意选择RDSON比较小的，然后结电容也比较小的MOSFET，特别是栅电荷，小一点好。毕竟LM5122的驱动能力是有限的，如下图所示，最大的驱动能力只有3A，如果MOSFET的栅电荷偏太大的话，会导致MOSFET的开关速度变慢。开关损耗过大，发热厉害，当然我们也必须做好MOSFET的散热工作，例如增加散热片啊，或者风冷等等。
最后说说关于LM5122的散热问题，MOSFET的散热比较好处理，但是LM5122的封装可是HTSSOP-20的，其散热就完全依靠其自己了，我们必须处理好LM5122下面的热焊盘，尽可能的铺大铜皮，并且增加过孔，协助散热。
其实对于散热的问题，还有一个办法，就是采用多相电路交错的方式。可以实现热量分担，提高效率，减小功率器件的体积，但是需要的就是均流的问题。幸好TI对于多相并联的问题也提供了相应的解决方案。如下图所示，我们可以直接采用。
以上就是使用LM5122设计升压电路需要注意的一些问题，与大家一起分享一下。
