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用TPS40057 在线设计了 输入8-36V 输出5.2V /15A
测试结果是自身损耗太大， 不带负载情况下，输入电流130MA ，发热厉害！
请大师帮解决下
这个电流主要是RC吸收造成的，在空载时，你可以去掉R30和C31，就会看到这个电流减小很多
R30 C31 我就没焊接 不会是这个RC吸收的
还有就是R7设计方案是49.9k 用这个值电路输出达不到5V 目前我是焊接100K的电阻输出才正常的
亲；L1是啥规格的？
6.8uh / 20A 扁铜电感
除了这个 因为R30 C31 根本就没焊接的 还有可能是哪个方面问题呢 期待回复 谢谢
HI
将频率降低，以及将C33拿掉看看？
C33 拿掉电流小了 现在还有60--70MA 这样子
Hi
看起来是驱动消耗比较大. 将并联的MOS拿掉一个，看看能减小到多少？
如果能够降低到可以接受的话，你需要考虑换一些Qg非常小的MOS来替代。
其次如之前提到的，可以降低一下电路的工作频率。
layout上要注意，芯片底部的焊盘要充分的PCB上GND焊接，并尽量扩张这个GND面积，包括打孔到PCB背面来扩张，TI这类芯片都要求将大面积的GND用做散热片给芯片降温。
上下MOS 各去掉一个 电流降到40MA了 看样是这个问题造成的
而且在大电流情况下 这些MOS损耗也很大 影响效率 目前效率在能做到85% 与理想还有很大差距
能否推荐一些常用的MOS
见TI MOS列表：
http://www.ti.com.cn/lsds/ti_zh/power-management/n-channel-mosfet-transistor-products.page#p267=60;100
选择csd18537nq5a： http://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/csd18537nq5a.pdf
可以先在TI网站申请样片测试看看.
这个MOS不需要2个并联，layout的时候同样要注意利用焊盘散热。
单个MOS 带8a载 起不来 MOS 采用 SI7884 参数 VDS 40V ID 58A Qg 21nc
我的意思是csd18537nq5a 电流应该是够的。
测试结果是自身损耗太大， 不带负载情况下，输入电流130MA ，发热厉害！我个人分析认为，这主要是IC的驱动损耗，驱动损耗大小与你的开关频率及你的同步整流MOS的Qg的大小来决定，你可以试着将频率降低，同步整流MOS选用Qg小的来用。
MOS 太热 高边MOS 用的是BSC027N04LS 低mos用的是SI7884
但是加了散热片效果不是很理想 效率低的的一大部分原因 是MOS耗掉了
怎样降低损耗！
如之前建议，选择Qg， Rdson尽量小的MOS.
MOS消耗，主要是在于Qg 和Rdson. 前者功耗由芯片提供，这个还会影响到芯片的驱动能力。
