帖子题目：
UCC27201与UCC27201A的区别
具体问题：
社区会员jun yin在2011年8月24日，在电源管理板块针对TI的电源管理类IC在使用过程中遇到的疑惑，向社区专家们提出了疑问，UCC27201A和UCC27201有何区别？两者的规格书中提供前者的静电耐受较后者由明显的提高，可是如何从规格中看出来？另外前者是如何提高HS耐受负电压的能力的？
帖子链接：
http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/power_management/f/24/t/563.aspx
积极参与的TI FAE：Neil Li
从这个案子中我学到的东西：从这个案子中我根据相关的芯片，在TI的官方网站上找到了相关的资料，在这里120-V Boot, 3-A Peak, High Frequency, High-Side/Low-Side Driver的UCC27201（www.ti.com.cn/.../UCC27201）和120V 升压 3A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器的UCC27201A（www.ti.com.cn/.../UCC27201A），我找到了相关的User's guide，通过自己的研究发现德州仪器 (TI) UCC27200A / 1A 系列高频N沟道 MOSFET 驱动器包括一个 120V 自举二极管和具有独立输入的高端/低端驱动器，旨在实现最大的控制灵活性。 这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源箝位正激式转换器中提供N沟道 MOSFET 控制。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至 1ns 的匹配。 UCC27200A / 1A 基于广泛使用的 UCC27200 / 1 驱动器，但进行了一些改进。 为了提升噪声电源环境中的性能，UCC27200A / 1A 运用了一种增强型 ESD 输入结构，而且能够在其 HS 引脚上承受－18V （最大值） 的电压。
由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。 为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能，如果驱动电压低于规定的门限，则强制输出为低电平。
UCC27200A 提供了两种版本。 UCC27200A 具有高噪声免疫 CMOS 输入门限，而 UCC27200A1 则具有TTL兼容型门限。
两个器件可提供的封装方式为8引脚小尺寸集成电路(SOIC)(D)， PowerPad™ SOIC-8(DDA)，SON-8(DRM) 封装，一个9引脚 SON-9(DRC)封装和一个10引脚SON-10(DPR)封装。