楼主jevon huang 想设计一款100V-200VAC输入的，直流输出电源，希望推荐合理的方案，其主要问题是：设计一款充电器:AC110~220V in,DC3.65V10A out,请问有没有相关的方案推荐?
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TI FAE:Max Han解答了楼主的问题，并且推荐了：LM5023
那么LM5023是一款什么样子的控制芯片呢，具体使用LM5023如何设计AC电源呢，下面我们一起去了解一下LM5023，看看使用这款芯片如何设计楼主所需要的电源。如下图所示，是LM5023的典型封装图：
从LM5023的封装图，我们扣看到，它是一款典型的VSSOCP 8PIN封装。整体的结构也是比较简单的。在这里先简单的介绍一下这一款芯片：M5023 是一款准谐振脉宽调制 (PWM) 控制器，也就是我们常说的QR模式控制器，采用QR模式的有点，想必大家都了解，可以实现谷底开通，减小开关损耗，同时降低EMI噪声的干扰。此控制器包含有一个隔离电源电源所需的全部功能，包括各种保护电路。更为重要的是 LM5023 是使用变压器辅助绕组来实现QR模式检测的，可以提高效率哦。其轻载的跳周期模式，可以极大的降低待机功耗。
大概的了解了LM5023的功能，我们看看其典型的应用电路图，如下图所示：
从上面LM5023的典型应用电路，我们可以看到起输入电压范围从90V-264V的全电压范围都是满足的，也就是说楼主的100V-200VAC的设计是没有任何的问题的，对于LM5023的各个部分的功能我们来一一拆解了解一下。
首先是高压启动电路，如下图所示：
其高压启动部分的原理是这样的：当AC上电以后，BUCK充电，那么通过上拉电阻R-start给MOFET充电，是MOSFET导通，然后通过这个导通的MOSFET，给LM5023的VCC电容开始充电，当电压达到VCC的开启门限的时候，LM5023芯片开始启动，这个时候，辅助电源绕组开始给VCC供电，然后LM5023的VSD脚发出一个低电平，关闭高压启动的MOSFET，以降低功耗。关于VCC的启动和关闭门限，可以参考下面的图：
再来说说QR模式是如何控制的，LM5023主要是通过检测辅助绕组的电压过零点的电压，也就是与0.35V的内部基准做比较，来实现QR谷底导通的，由于辅助绕组和主绕组是完全耦合的，检测辅助绕组的过零，也就是实现主绕组的谷底导通，如下图所示：
LM5023的电流模式控制的特点就是通过串在MOSFET的漏极的电阻，来采样MOSFET的开通电流，以镜像电流源的方式，和辅助绕组的电压采样相结合，来实现LM5023的工作。对于这种控制模式的详细介绍，在TI的官方规格书中有资料，有兴趣的网友可以去学习一下，在这里我们只需要大概的了解一下就行了。最后就是变压器的设计了，这个网上有许多资料，就不介绍了。
以上就是使用LM5023设计AC-DC隔离电源需要注意的几个地方，按照这个办法，就可以完成楼主的100V-200VAC输入，3.65V，10A输出的电源了。由于采用了QR模式，整体的效率还不错。待机功耗也会比较低。