楼主 billy huan想使用TPS51116设计一款稳压电压，但是对其功能以及如何使用不太明白，在电路的设计过程中出现了输出不稳压的请款个，故发帖求助：如题用TPS51116作为DDR2的电源，但是上电后电压偏高，最高达1.94V，超过DDR2手册标准的1.9V。求教如何解决？
帖子链接如下所示：http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/power_management/f/24/t/11215.aspx
楼主的电路图如下所示，我们可以参考一下：
还有设计电路的测试波形，如下图所示，我们一起看看：
对于楼主的这个问题，TI FAE:Johnsin Tao 给出了解答：因为您采用的是D-CAP™ Mode Operation，建议您首先确认一下您的输出电容ESR是否符合环路稳定的需求,见datasheet: www.ti.com.cn/.../getliterature.tsp 第二十页D-CAP™ Mode Operation的说明。
对于TI的技术人员的解答，楼主产生了另外的一个疑问，如下图所示：根据手册上的公式ESR反比于Iout，在空载的情况下Vout应该可以保持1.8V稳定输出的，是么？
我们在看看TI技术人员对这个问题是如何回答的：ESR是输出电容固有的，与负载没有关系，只是在选取输出电容是，会在满足满载输出状态下的输出电容需求。
TI FAE建议的解决方案如下图：在你的设计中建议在两MOS之间到GND增加一个snubber(RC)电路，另外输出电容可以选用POSCAP高分子有机电容。
楼主按照TI推荐的方案，最终问题得以解决，如下图所示：
那么 TPS51116究竟是一款什么样子的芯片呢？我们改如何正确的使用TPS51116来设计稳压电源呢。这些都是我们在设计中需要学习的问题，下面我们就一起去学习一下TPS51116这款芯片的详细功能，如下图所示，是TPS5116的封装结构图：
关于TPS51116的封装，其实就是很简单的PWP 20PIN的结构，整体的设计非常简单，下面我们来看看TPS51116的的输入输出参数，如下图所示：
如上图所示，我们可以看到TPS51116的输入电压范围是从3V到28V，输出最大电流为3A，支持DDR1-4，它是一款很典型的同步BUCK方案，也就是说它之只能实现降压输出，这个对我们的设计的时候就必须多加注意了。
下面我们再看看TPS51116的典型的应用电路图，如下所示：
关于TPS51116的设计中需要注意什么问题呢，我们一起去了解一下：首先我们需要注意其温度的使用范围问题，最高工作问题可以达到85度，如下图所示：
其次需要注意其温度以及结温损耗的问题，如下图所示：
TPS51116这两种不同的封装的最大功率降额都是不一样的，20PIN的只有1W，24PIN的为0.88W，功耗导致的温升也是不一样的，我们在设计的时候必须注意这些温度，合理的选择芯片，以及考虑芯片的散热。
关于功耗的计算，可以参考下面的图：
下面我们看看TPS51116的开通时间问题，如下图所示：
注意TPS51116的最小开通时间只有100ns，最小关断时间为350ns.那么TPS51116的驱动能力为多少呢？我们一起去了解一下,如下图所示：
TPS51116的驱动死区时间为20ns,驱动电阻为source2ohm，sink为6ohm。下面看看轻载电流问题：
下面我们来看看TPS51116的基本的元器件的计算以及选择的问题，如下图所示：
ESR的计算可以参考下面的表格：
输出电容的选择，这个至关重要，尤其是ESR一定更需要注意，可能导致环路不稳定，这个也是楼主出问题的地方所在了。
关于PCB的布局问题，有一点尤为重要就是PGND不要连接到热焊盘：
最后我们来看看TI推荐的另外几种应用方案：D-CAP PWP封装
D-CAP,REG封装的典型应用电路图如下所示：
电流模式，PWP封装的应用电路如下所示：
电流模式，REG封装的应用电路如下所示：
以上就是关于TPS51116输出不稳压问题的分析学习，以及使用TPS5116设计电路需要注意的一些问题，以及TPS51116的典型应用电路，与大家分享一下。
