看LP5907的datasheet的7.4.1有说明该芯片内部有个230欧的放电电阻，我们的应用中，正常使用时是5V转3.3V，而生产过程中烧写代码时是外部直接供3.3V，也就意味着在烧写代码时LDO是没有输入的，这个时候有电流倒灌进LDO，DS中说明的RAD 230欧电阻就是放电用的，但不知道这个电阻的功率有多大。按照3.3^2/230，约有40mW的功耗，不知道这个电阻扛得住不？同时下面的管子能否也抗得住不？
看LP5907的datasheet的7.4.1有说明该芯片内部有个230欧的放电电阻，我们的应用中，正常使用时是5V转3.3V，而生产过程中烧写代码时是外部直接供3.3V，也就意味着在烧写代码时LDO是没有输入的，这个时候有电流倒灌进LDO，DS中说明的RAD 230欧电阻就是放电用的，但不知道这个电阻的功率有多大。按照3.3^2/230，约有40mW的功耗，不知道这个电阻扛得住不？同时下面的管子能否也抗得住不？
