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C6678 IBL nand加载问题

Mark
Intellectual 940 points

各位专家好，最近用mcsdk_2_01_02_06里的ibl进行nand的boot程序加载，我用的是ibl里的通过I2C加载nand的例程（\mcsdk_2_01_02_06\tools\boot_loader\examples\i2c\nand\evmc6678l），加载过程完全按照ibl的烧写即配置顺序，程序的烧写也是按照nand的烧写过程，加载完毕，把开关博导相应的位置

 NAND Boot:
   Set the dip switches (pin1, pin2, pin3, pin4) to:
    SW3(off, off, on, off),
    SW4(on, off, on, on),
    SW5(on, on, on, off),
    SW6(on, on, on, on)

复位后电脑串口终端一直不停输出DDR OK，不知道这是什么原因，我又烧写了一个可以再CCS上运行的LED点灯程序，也不能正常点灯，请问这是什么原因啊！谢谢了！

  • 0
    TI__Guru 61135 points

    您好，

    附件是我之前在EVM6670上成功运行Nand flash boot的说明，请参考。

  • 0 回复 Andy Yin
    Intellectual 940 points

    谢谢您的解答，Andy Yin1，我也是按照你给我的这个txt上的步骤来的，只是烧写IBL，配置IBL和烧写NAND我都是一次完成的，没有重启evm板，回去再试试，谢谢了！

  • 0 回复 Mark
    Expert 1075 points

    您好，不知道您的自加载现在成功了吗？

    我现在刚刚做6678的nand flash boot,我严格按照流程，每步都是正确的，但是自加载时也是一直打印DDR ok 不过到最后会停止，到现在还是不知道是什么原因。我的MCSDK是2.01.02.05版本的。您说的烧写IBL，配置IBL和烧写NAND，每一步完成之后，我都断电，重新上电后，进行下一步操作，但是还是没有自加载成功。非常麻烦，向您请教。

  • 0 回复 zhonghong zhang
    Expert 1230 points

    你的cmd分配是否占用了0x800000 --- 0x81bdef这段空间，这段空间分配给了IBL，如果占用了，避开这段空间

  • 0 回复 jack liu_first
    Expert 1075 points

    您好，我在分配CMD的时候，设置如下：特意避开了IBL的运行空间0x00800000 to 0x0081BDFF.

    -heap  0x1000

    -stack 0x2000

    MEMORY

    {   /* Local L2, 0.5~1MB*/

        VECTORS:    o = 0x00820000  l = 0x00000200   /*o = 0x00800000  l = 0x00000200 set memory protection attribitue as execution only*/

        LL2_CODE:   o = 0x00820200  l = 0x0000FE00   /*o = 0x00800200  l = 0x0000FE00 set memory protection attribitue as execution only*/

        LL2_R_DATA:     o = 0x00830000  l = 0x00008000   /* o = 0x00810000  l = 0x00008000 set memory protection attribitue as read only*/

        LL2_RW_DATA:    o = 0x00838000  l = 0x00047FFF   /* o = 0x00818000  l = 0x00068000 set memory protection attribitue as read/write*/

        /* Shared L2 2~4MB*/

        SL2:        o = 0x0C000000  l = 0x00180000  

        SL2_RW_DATA:    o = 0x18000000  l = 0x00200000   /*remapped SL2, set memory protection attribitue as read/write*/

        /* External DDR3, upto 2GB per core */

        DDR3_CODE: o = 0x80000000  l = 0x01000000   /*set memory protection attribitue as execution only*/

        DDR3_R_DATA:    o = 0x81000000  l = 0x01000000  /*set memory protection attribitue as read only*/

        DDR3_RW_DATA:   o = 0x82000000  l = 0x06000000   /*set memory protection attribitue as read/write*/

    }

    结果还是和以前一样，一直输出DDR OK，输出很多个DDR OK之后，停止。但是相同的程序，烧写到NOR FLASH中就可以自加载成功。

    在此程序中，我确认的地方还有，在NAND 自加载时，连上DSP，

    1. 6678芯片内部本身有boot ROM ,也就是iBL引导代码，可以完成加载前的基本初始化工作，该代码执行完后，bootcomplete 寄存器的值会置1。BOOTCOMPLETE(0x0262013C) 是 0x00000001，说明已经加载了。
    2. 查询加载后0x80000000有我烧写的代码数据内容，和bin文件一致。但是我看到有些人说这些代码数据应该在0x00800000空间？？
    3. 查询MAGIC_ADDRESS(0x1x87FFFC) 为非空值。值为00803320。
    4. 查看Device Status Register(0x02620020) 始终是0x0000082b。
    5. out转bin,直接改的后缀名，烧写之后自加载不成功；采用out转hex,转ccs的dat,再转bin，烧写之后自加载也不成功。下面是转换的Bat应用脚本语言：

    set IBL_UTIL=C:\ti\mcsdk_2_01_02_05\tools\boot_loader\ibl\src\util

    hex6x makefile.rmd

    pause

    %IBL_UTIL%\btoccs\b2ccs image.hex image.dat

    pause

    %IBL_UTIL%\btoccs\ccs2bin image.dat image.bin

    pause

    我的硬件平台是：mcsdk_2_01_02_05 和TMDXEVM6678LE Rev1.0。mcsdk_2_01_02_06的也尝试过，还是和之前的一个现象，总是显示DDR OK。现在对于NAND FLASH 的自加载正在查找原因，好长时间了，没有进展呀。但是相同的程序，烧写到NOR FLASH中就可以自加载成功。谢谢~~

     

  • 0 回复 zhonghong zhang
    Expert 1230 points

    你好，

    配置IBL时

    i2cConfig.gel中的关于evm6678部分的，不知你做了这个吗

    ibl.bootModes[1].u.nandBoot.bootFormat    = ibl_BOOT_FORMAT_BBLOB;

    改为

     ibl.bootModes[1].u.nandBoot.bootFormat    = ibl_BOOT_FORMAT_ELF;

    .out直接重命名为.bin即可

  • 0 回复 jack liu_first
    Expert 1075 points

    您好  ibl的配置里改了nandBoot.bootFormat    = ibl_BOOT_FORMAT_ELF，看到了I2C write complete  文件格式转换时，我两种方式都试过，一种是直接重命名改为.bin另一种用转换工具，但是两种方法都不成功

  • 0 回复 zhonghong zhang
    Expert 1230 points

    你好，你用的是6678evm？简单的点灯程序都不行吗？你把所有代码避开IBL代码区，放在L2里吗？

  • 0 回复 jack liu_first
    Expert 1075 points

    板卡是TMDXEVM6678LE Rev1.0  代码区域已经全部避开了IBL的空间的   没有试点灯程序 我的应用程序是一个UART可以输出信息的程序  

  • 0 回复 zhonghong zhang
    Expert 1230 points

    你好，是否有代码放在DDR，是否加载了DDR参数表做DDR的初始化？

  • 0 回复 jack liu_first
    Expert 1075 points

    您好，这个DDR参数表是指什么呢？我的cmd文件里有一个地址映射，有个段是到DDR3的

  • 0 回复 zhonghong zhang
    Expert 1230 points

    你好，那你先把所有的段放到L2里试试，我也不太清楚ibl有没有做DDR的初始化，DDR参数表用于初始化DDR的，比如spi 启动，DDR参数表和烧写镜像可以一块合成一个.dat文件，程序加载时会根据参数表配置对DDR初始化，这里似乎用不到参数表

  • 0 回复 jack liu_first
    Expert 1075 points

    您好 我刚才用i2cnandboot_evmc6678 工程（tools\bootload\example\i2c\nand）里面的out文件烧写试了一下 nand自加载不成功，nor可以成功，好像和DDR3没有关系，因为那个工程的cmd工程的地址映射没有用到，sections里面没有映射，只是在memory里面有定义空间大小 org  len

  • 0 回复 zhonghong zhang
    Expert 1230 points

    你好，

    刚试了下，我的没问题

    这个我无能为力了

  • 0 回复 jack liu_first
    Expert 1075 points

    谢谢，我还是不知道哪个地方出错了，但是非常感谢你帮我一起找bug

  • 0 回复 zhonghong zhang
    Expert 1075 points

    你好，终于找到原因了，BBLOB替换成ELF时，在gel文件里面有多个地方均需要替换，之前没有发现。现在单核能够boot成功了。请问，对于多核的自加载我应该怎么实现呢？之前没有做过程序加载相关的东西，对这个没有概念。

  • 0 回复 zhonghong zhang
    Prodigy 50 points

    楼主能不能共享一下要该的地方，我的NAND 也不能启动

  • 0 回复 jack liu_first
    Expert 1075 points

    hi jack  您好，最近我一直在做IBL NAND Flash的多核自加载，前段时间把单核core 0 的跑通了，但是多核一直不知道怎么办？不知道您是否有过类似的开发经验，有没有例程之类的可以参考一下？

  • 0 回复 shu jun
    Expert 1075 points

    i2cConfig.gel文件里面关于文件格式的修改 BBLOB 改为ELF

  • 0 回复 zhonghong zhang
    Expert 1230 points

    你可以试下把多核镜像通过工具转成table格式再转成.bin格式，烧下这个bin文件看看。另外你可以使用MAD工具将多核镜像生成.bin文件试试。你可以查看生成的.bin文件格式，对于单核生成的.bin文件格式为：第一个32位表示cint00，随后  段0的长度，段0的地址，段0的数据，段1的长度，段1的地址，段1的数据.....IBL应该做了单核段的搬移和跳转到cint00执行。但我不太清楚IBL是否做了多核的镜像段的搬移和跳转到相应核的cint00。如果IBL只支持单核，你需要在烧入NAND的程序中利用cor0去做其他核程序段的搬移，然后跳转到相应核的cint00去执行。这样你启动了cor0，其他核也会接着启动。

  • 0 回复 jack liu_first
    Expert 1075 points

    hi 您好 ！十分感谢您的建议呀

  • 0 回复 zhonghong zhang
    Expert 1017 points

    zhonghong zhang 于 2014-4-24 10:47 发表了以下帖子 :

    你好，终于找到原因了，BBLOB替换成ELF时，在gel文件里面有多个地方均需要替换，之前没有发现。现在单核能够boot成功了。请问，对于多核的自加��我应该怎么实现呢？之前没有做过程序加载相关的东西，对这个没有概念。

     

    你好，请问你这里指的多个地方需要替换，是只哪些地方？ gel文件里有多种DSP型号的配置，6678有哪些要配置？谢谢