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C6678 FLASH烧写问题

各位专家大神好,想咨询几个关于C6678烧写FLASH的问题 板子是公司自己设计的板子,EEPROM,nand flash, nor flash都跟开发板一样

1. 烧写FLASH都需要正确初始化DDR3,在我的应用工程中有正确初始化DDR3寄存器的代码,我将这些寄存器值复制到GEL文件中,连接DSP加载GEL文件时, 却不能正确初始化DDR3,为什么呢?

2,当用EEPROM writer烧写EEPROM时,总会报烧写错误, 错误号为4,为什么?怎么修改?烧写开发板同样错误

3,当用nand flash writer 和nor flash writer烧写对应flash时,都会死在 platform_init()那个函数那里,我是直接从mcsdk中使用的platform.lib,为什么不能烧写呢?怎么修改?烧写开发板正常

4,烧写SPI NOR需要将工程生成的.out文件经过一系列工具链转换成.dat文件,然后通过nor flash writer烧写,请问如果烧写EMIF nand flash时 也是一样的步骤吗?怎么转换,我没找到这方面资料

希望大神帮我分析下,急用,谢谢

  • 1. 复制到GEL文件是什么意思?修改GEL的参数?

    2. 后面的问题是因为你的板卡和开发板初始化参数不一定一致,需要修改对应的函数;

    3. 6678不能直接支持EMIF NAND启动,需要通过IBL支持,所以和SPI NOR的格式不一样,IBL目前只支持ELF格式。

  • 1 就是修改ddr3寄存器值  简单更改值还不行  还得照抄我程序里初始化ddr3的代码才行 不知道为什么

    2 emif启动的Ibl就必须要烧EEprom对吗?工程是elf格式的  既然和SPI nor不一样  那需要怎么更改呢?

    3 另外我启动DSP ipc触发从核启动  只能触发核 1 2 3 不能启动核 4 5 6 7  为什么呢?