对NandFlash烧写以后，再次想OMAPL138 仿真就不成功了

shuo wang10

开发板开始是可以仿真的，我先用仿真器将ais程序烧写到了开发板，

烧写之后，代码没有运行成功，而且我想再次仿真时，就不能在仿真了，下面是结果

提示运行gel文件主要的错误

//DDR没有成功：
ARM9_0: Output: PSC1 Sync Reset Transition Timeout on Domain 0, LPSC 6
ARM9_0: Output: PSC1 Sync Reset Verify Timeout on Domain 0, LPSC 6

//DSP没有开启
ARM9_0: Output: PSC0 Enable Core Transition Timeout on Domain 1, LPSC 15
ARM9_0: Output: PSC0 Enable Core Verify Timeout on Domain 1, LPSC 15

如果我想再次通过仿真器烧写NandFlash，加载gel运行的结果还是这样的，然后我去load "nand_write.out" 程序，然后程序就跑飞了，

请问各位大神是什么原因造成的，

7 年多前

0 Shine 7 年多前

TI__Guru**** 357097 points

请问boot mode管脚设成Emulation Debug mode了吗？

0 Tony Tang 7 年多前

TI__Guru 64206 points

你烧进去的程序有问题，跑飞了，把芯片搞乱了。改成别的模式再连仿真器，擦掉flash.

0 shuo wang10 7 年多前回复 Shine

Intellectual 630 points

没有，买的板子已经默认是NandFlash启动了，没有对应的启动方式调节拨码开关

0 shuo wang10 7 年多前回复 Shine

Intellectual 630 points

没有，直接就是NandFlash启动，并没有拨码开关来改变启动方式

0 shuo wang10 7 年多前回复 Tony Tang

Intellectual 630 points

好的，我试一试，顺便我想问下，我还有另一块板子（板子1），是可以调节拨码开关来改变启动方式的，当我调节到NandFlash启动时，仿真时不成功的，

现在调试的这个板子（板子2）是只有NandFlash启动方式，我是可以通过仿真器仿真的（在我烧程序进NandFlash之前），那为什么板子1通过NandFlash就不能成功仿真呢？而且加载gel文件后的结果和我上面的输出时一样的。

0 Tony Tang 7 年多前回复 shuo wang10

TI__Guru 64206 points

前面不是说了吗，你烧进NAND的程序有问题，当设为NAND启动起，上电就会加载有问题的程序，导致芯片跑飞异常了。所以要做的就是不要让他从NAND启动就可以了。

0 shuo wang10 7 年多前回复 Tony Tang

Intellectual 630 points

好的，谢谢了，我还要询问领导的要求改变硬件电阻

0 Tony Tang 7 年多前回复 shuo wang10

TI__Guru 64206 points

上电时，用镊子将NAND_CS与3.3V短路一下就行了。让boot过程中读不到NAND的内容，再连上仿真器擦掉flash.

0 shuo wang10 7 年多前回复 Tony Tang

Intellectual 630 points

您们好，厂家给我的板子是默认通过NandFlash启动（R195，R196，R197，R198没有的，其他电阻都有），如果我想从EMULATOR DEBUG模式启动，需要R198接上一个电阻，不知道接多大的电阻可以？还是直接短接就可以？

0 shuo wang10 7 年多前回复 Tony Tang

Intellectual 630 points

这个可以，我明天上班就试试，非常感谢@Tony Tang

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