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想在调试的时候，不断地往内部flash某个段记录代码中某个变量的变化值，想问问如何进行操作
你要留出一个flash扇区，然后对该扇区擦除后，进入烧写。
先参考一下flash操作的历程，上TI官网找。
ERIC
官网有的flash操作例程是针对片外flash的吧，我想用片内128K的FLASH的某一个段来存储数据，是在烧写前用F28xx On-Chip Flash Programmer来擦除，还是如同读写外部flash那样，通过软件的手段来擦除？现在不敢乱操作，担心一不小心把芯片给锁死了。
TI发布的flash历程应该是对片内flash操作的才对吧，不用担心锁死芯片，只要保证在擦除A扇区过程电源稳定就好。
擦除的时候还要注意，禁用看门狗（如果有的话，包括硬件和软件）。
另外还要看你记录的频率情况，因为擦除Flash本身是需要一定时间的，28335一个扇区需要2-3秒左右吧，2812不太清楚。
这些情况都要综合考虑，以确定是否需要使用内部Flash来记录数据。
