大家好!
我在看28335的XINTF模块的时候,对资料所说的Zone0,6,7有不同的片选信号,在访问某一个区域的时候使能相应的片选信号,我想知道怎么样去使能和禁止相应区域的片选信号?
另外我想知道我同时扩展外部FLASH 和外部RAM的时候,怎么样去使能相应的片选信号,还是说只要我需要扩展的外部RAM和FLASH区域配置好了之后,片选信号就是一直处于使能状态,只需要执行写入读取操作就可以了吗?
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我在看28335的XINTF模块的时候,对资料所说的Zone0,6,7有不同的片选信号,在访问某一个区域的时候使能相应的片选信号,我想知道怎么样去使能和禁止相应区域的片选信号?
另外我想知道我同时扩展外部FLASH 和外部RAM的时候,怎么样去使能相应的片选信号,还是说只要我需要扩展的外部RAM和FLASH区域配置好了之后,片选信号就是一直处于使能状态,只需要执行写入读取操作就可以了吗?
那你的意思就是假如我在区域6外扩RAM在区域7外扩FLASH ,只要每个区域设置好之后,代码里面直接进行读写操作就可以了吗?另外这个你有全部把代码下载到外部FLASH运行的时候放到外部Ram 里面去运行的实践经验吗,有的话,能否分享一下,非常感谢!
所有代码固化到外部FLASH?
内部的FLASH不够用吗?
姑且你使用外部的FLASH,也没必要所有的代码都在RAM中跑吧?
时间要求苛刻的,把它从FLASH中拷贝到RAM中可行?
我没有尝试过同时扩FLASH和RAM,只尝试过外扩RAM,从内部FLASH启动。
首先谢谢您的耐心解答,我主要是想搞明白代码下载到内部FLASH和外部FLASH的时候,相应CMD文件的修改;另外想搞清楚代码放到内部FLASH,外部FLASH,内部RAM或者外部RAM的运行速度,这样就可以根据实际情况灵活操作,不知道我这样的想法在实际应用当中是否有用,恳请赐教,谢谢!
运行速度 首先肯定是RAM比FLASH快 c2000一般都采用内部flash
c5000 c6000都没有内部的flash 只能外扩flash用来存储 上电后可以直接从flash开始执行
也可以搬移到RAM中运行 关于c2000内部的flash和外扩的RAM比速度 等这样的问题
我也说不好那个效率更高