TMS320F28335；CCS 5.5
离线模式：用F28335.cmd
用#pragma CODE_SECTION(函数名,"ramfuncs"); 将所有函数都copy到RAM里运行。
程序采样PWM触发ADC采样，每50us一个PWM中断，同时AD采样一次。用GPIO高电平看进PWM中断到AD采样完成的时间，程序如下：
/*************************************************************/
GpioDataRegs.GPBSET.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置高
while (AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1== 0) {}
AdcRegs.ADCTRL2.bit.RST_SEQ1 = 1;
AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1_CLR = 1;
GpioDataRegs.GPBCLEAR.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置低
/*************************************************************/
PWM是增减模式，在计时器为0时进中断，计数器到达峰值时启动ADC，正常情况下，上面程序的高电平时间非常短，观察到的时间约为380ns。
为了查看一些控制量，程序里添加了3个数组：
float see1[400], see2[800], see3[800];
添加上面3个数组之后，.ebss段的大小为0x2263，，而默认长度只有0x1000，因此需要改CMD文件
将
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML5 : origin = 0x00D000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML6 : origin = 0x00E000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML5 : > RAML5, PAGE = 1
DMARAML6 : > RAML6, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
更改为
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x003000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
编译正确，烧写之后运行，查看GPIO高电平时间，发现时间很长，大概42us。
在修改cmd文件之后，把上面三个数组完全注释掉，重新烧写运行，查看GPIO高电平时间大概380ns。
这么来看，好像就是这3个数组的加入，使得AD采样时间发生异常。下面两张图就是观察到的GPIO高电平时间，上面的图是正常情况，下面的是异常情况。
另外，如果是在线模式，使用28335_RAM_lnk.cmd，则添加3个数组后程序运行也正常。
在这儿恳请各位专家和大神帮帮忙，看看是哪边出现的问题？感激不尽！谢谢了！这个问题困扰太久了。
再次表示感谢！
