1、可以使用片内的1M的flash空间进行数据的存储，来进行掉电数据保护吗？
2、问题1答案是可以得话，下载的程序存到哪里了呢？是不是可以通过IAR设置程序的地址？
3、问题1答案是可以得话，存储数据的地址可以自己确定吗？，可编程地址如下：
请问，RAM、FLASH、HET RAM的地址分别是多少？
4、如果可以存储数据的话，存储的时候，看到这句话：
请问，这个芯片写入的时候是可以2个2个字节写入对吧？那写之前要进行擦除吗？是不是按页（16K字节）擦除？对于已经有数据的地址再写数据时，要擦除吗？
5、在其总的手册中有以下一句话：
，请问，这个50000是指读写次数吗？那么这个次数是怎么算的呢？①是每bit可以进行50000次读写，②还是读写1次就算1次？比如，对flash中的8个字，64bit进行每2个字节的间断性写操作，过程中是对每bit进行操作，按第1中解释，那么其实算使用掉了1次读写机会；按第2种解释，写了8/2=4次，使用掉了4次读写机会。
