Original question:
OPA564: 能否补偿扩宽增益带宽积
在用TLV2186这颗物料时，Vos的最大值250uV和典型值10uV相差比较大，但从Vos分布上来看并不是很离散。
想了解一下，这个最大值Vos与哪些因素有关？温漂？是否可以估算出温度0-50度范围最大值Vos值
您好，
Vos受芯片工艺结构影响从而反映了运放内部电路的对称性。对称性越好，Vos的值越小。同等参数情况下，一般Vos值越小，价格越贵。
另外Vos也与供电电源的稳定性有关，当让也有您说的温度有较大关系，即温漂。
目前TI仅对环境温度在25℃做的实验，您可以线下尝试比如在50°的实验条件下获得的Vos值。
您好，谢谢回复，有没有与TLV2186这颗运放价格相差不大，Vos典型值10uV以内，最大值不超过50uV的TI器件推荐？
请参考下面链接中的产品
Compare products (ti.com.cn)
