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【TI制胜方案】创意无限,灵感无穷!送样片,秀方案,赢大礼!

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【TI制胜方案】创意无限,灵感无穷!送样片,秀方案,赢大礼!

你是否已经申请了TI制胜方案?快来分享自己独特的产品使用体验!活动期间,凡按活动规则分享经验的每一位朋友,都能获得丰厚的礼品哟!送完为止。

 
 无论是通讯、计算机 、消费类电子,还是汽车、工业、能源、医疗,TI 为您准备了一系列创新、完整、独特的制胜解决方案, 致力于为客户提供“更多的设计和开发灵感,更多的产品选择,更大的技术支持,更强的制造产能”,带给大家前所未有的整体方案体验。
 

 

活动介绍

为了感谢大家对TI制胜方案的信赖与支持,为了帮助TI了解您的产品设计需求,在此特别邀请使用过TI制胜方案的用户参与本次设计经验分享活动,凡是按规则分享个人产品设计经验的朋友,即可获得精美礼品一份。


参与方法 

  • 已申请TI制胜方案的用户:

             -  只需立即回复此帖,分享制胜方案设计心得,即可获得精美礼品。

  • 未申请TI制胜方案的用户:

             -  第一步: 免费申请以下制胜方案套件

           -  第二步:方案送达,开始设计

           -  第三步:回复此帖,分享制胜方案设计心得,获得精美礼品

 

**格式要求 

请按以下格式分享您的设计心得

       所申请的制胜方案名称:

       方案中用于您的设计的TI产品名称:

       方案使用过程中的设计心得:

       希望TI今后提供的解决方案:

*如您回复的内容与以上格式不符,将无法参与此次活动,感谢您的配合。


活动截止日期:2013年1030

TI 保留对此活动的最终解释权

  • 高密度初级侧隔离式 DC/DC 电源解决方案

    TI产品:LM5045,CSD17311Q5,UCC27524

    48Vdc 输入电压
    100V 输入范围意味着无需使用偏压绕组来给控制器供电。简化了设计与变压器。
    隔离式电源转换器
    2500Vrms 隔离
    低电压高电流输出
    集成型同步 FET 驱动器与低损耗 NexFET 的完美结合可最大限度地提升高电流/低输出电压应用的效率。
    高功率密度解决方案
    高达 2MHz 的开关频率允许使用较小的磁性元件,而 NexFet 上的低栅极电容则可在高速条件下确保低开关损耗。

    最好能提供变压器的解决方案哈。

  • 采用 GaN FET 的数字电源转换
    TI产品:C2000,LM5113
    TI 的数字电源转换解决方案采用了GaN FET,与其同等的 MOSFET 相比,GaN FET 具有栅极电容较低、栅极驱动电压较低和额定电压能力较高等优势。若想真正利用 GaN FET 的卓越性能,就必须具有非常高的开关频率。这就使得不管是半桥式、同步降压型转换器还是正激式 DC/DC 转换器都具有较高密度和较高效率。这可以通过组合 C2000 系列 MCU 及 LM5113 GaN 驱动器来实现。

    高开关频率 (> 2MHz) 有利于使用较小的磁性或其他分立式组件。借助 GaN FET 能够在不产生过大开关损耗的情况下实现这一目标!!

  • 可以的希望里拿到大奖噢噢噢噢