背景：目前立项产品参数中，电池串数18S，想用两片bq76952芯片做上下各10串堆叠采样，用NMOS管做保护电流100A处理。
咨询问题：
1.如果做高边NMOS控制处理是否客户做相关方案参考，在可靠性处理方面TI方是否有提示建议。
2.基于描述背景，TI方是否有更合理的采集方案推荐，
背景：目前立项产品参数中，电池串数18S，想用两片bq76952芯片做上下各10串堆叠采样，用NMOS管做保护电流100A处理。
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