楼主joseph1 使用LM5010AMH设计了一款降压电源，但是在使用的使用大量的烧毁，来到这里发帖求助，主要问题如下所示：输入电源 57.4V，输出12.5v，加载后电流195mA，目前测试已烧毁 14PCS，约13-6 1PCS；13-6-2 5PCS；13-5 1PCS；13-2 3PCS；12-3 5PCS，可否询问一下，这样的设计是否那里有问题呢？谢谢。
帖子链接：http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/power_management/f/24/t/75626.aspx
TI FAE:Johnsin Tao以及热心网友XP解答了楼主的问题。指出了使用LM5010AMH设计降压电路需要注意的一些问题，并且给出了详细的解决方案。在了解楼主的问题之前，我们不妨先来了解一下LM5010AMH这款芯片，看看其是如何实现降压电路设计的。
如下图所示，是LM5010AMH的典型封装结构图：
对于这两种封装：10PIN的WSON，和14PIN的HTSSOP，相信大家都有一些了解了，这里就不再介绍了。注意一下，楼主使用的就是14PIN的HTSSOP封装，这两种封装在主要的功能上也是大同小异的，甚至在热阻上也是一样的，如下图所示：
介绍了LM5010AMH的集中封装结构，我们再来了解一下LM5010AMH的相关参数：如下图所示，详细列出了LM5010AMH的具体参数，其中注意下输入电压最高可以达到75V，输出电流也可以达到1A，这些都是设计中需要经常用到的参数：
对于LM5010AMH的基本特性都了解了，我们在回头看看LM5010AMH的典型应用原理图，也就是楼主经常问题的那张图，如下所示：
这个是TI推荐的应用简化版原理图，可以看出LM5010AMH就是一款简单的BUCK型降压电路，如果按照这个原理图去设计电路，基本就不会出什么问题了，当然，对于上图中圆圈中的部分，设计的时候必须格外的注意。下面我们看看楼主的电路图，看看频繁的出问题的原因所在，如下图所示：
下面就是PCB布局部分了：
反面布局：
在这里，需要提一下LM5010AMH的工作频率，这个从LM5010AMH的开通时间就可以看出来了，如下图所示：
从上图可以看出，LM5010AMH是一种固定导通模式的控制器，其开关频率是随着输入输出电压，以及负载情况变动的，但是注意，TON的时间都是us级别的，也就是都是工作再高频的模式的，那么我们在LM5010AMH做BUCK电路的时候，选择功率器件的时候，就必须考虑快速的开关管，功率电感，以及二极管了，我们看看楼主的使用情况：二极管用的US1G？US1G的reverse recovery time可能不够快(trr 50ns)。对于这个问题，TI 的FAE:Johnsin Tao也指出来了: US1G是超快恢复的TVS管.
我们看看楼主对这个情况的分析：我直接比对原厂的AN-1352 LM5010 Evaluation Board的测试样板，如同您说的，可能为US1G，因为整个电路中，就此颗组件配置不同，另外也有看到其它数据，增加R5，使受限的负载可正常输出，但这个我就没试的，我主要就是一开发，一加载，就烧毁情况均多。因为没有原厂规格，所以先更换一颗SK220B 200V 2A Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers，来测试。果真，将US1G装上时，就烧毁，换了SK220B，都可正常作动，可能为反向回复电流造成和EMI噪声造成IC烧掉。下面就是测试波形：
US1G的波形：
2SK220B波形：
当然我们也可能怀疑是输入部分的问题，但是经过实际测试，输入部分是没有问题的，如下图所示：
唯一会有高压产生的，就是将D4 US1G 调整为肖特基 200V2A 量测SW点，就会产生PWM切换达到降压的功能(平均电压约12.5V上下)，最后约68V，也无超过，此时就没有再产生烧毁的问题，若再换回US1G，一样送电，加载LM5010就挂了。
从上面的波形分析我们基本可以得出结论：在设计高频的BUCK电路的时候，对于功率器件，必须使用超快恢复的，最好就是肖特基二极管了，不然的话，由于高频的反向恢复问题，很容易导致电源烧毁。
以上就是LM5010AMH设计BUCK电路的工作异常问题的一点体会，与大家分享一下。